خواص مدهای نقص بلور فوتونی نانولایه دی الکتریک-فلز سه تایی در یک بعد

thesis
abstract

در این پایان نامه خواص مدهای نقص در ساختارهای متناوب با سه لایه دی الکتریک- فلز- دی-الکتریک در حالت متقارن و نامتقارن بررسی شده است. سپس ویژگی های آن با بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز دو لایه در یک بعد مقایسه شده است. همچنین بازتاب را بر حسب طول موج بررسی کرده و وابستگی آن را با تغییر تعداد سلولهای چپ و راست لایه نقص و تغییر زاویه برای امواج te و tm در دو حالت متقارن و نامتقارن هم برای بلور فوتونی دی الکتریک-فلز سه لایه و هم برای دو لایه در یک بعد بررسی شده و بازتاب بر حسب طول موج برای فلزات مختلف نیز بررسی شده است. یافته ها نشان می دهد که حداقل یک مد نقص در بلور فوتونی دی الکتریک-فلز سه لایه و همچنین دولایه در یک بعد هم در حالت متقارن و هم در حالت نامتقارن وجود دارد، و با افزایش ضخامت و ضریب شکست لایه نقص تعداد مدهای نقص نیز افزایش می یابد، ولی روند افزایش تعداد مدها در بلور فوتونی دی الکتریک-فلز سه لایه نسبت به دو لایه بیشتر است و همچنین نوار گاف در حالت سه لایه پهن تر می شود. همچنین وقتی تعداد سلول های چپ و راست در بلور فوتونی دی-الکتریک-فلز هم در حالت سه لایه و هم در حالت دولایه با هم برابر باشد مد نقص ارتفاع بیشتری نسبت به حالاتی دارد که تعداد آنها با هم برابر نباشد، که نشان دهنده تشدید کاملتر آن نسبت به حالات دیگر است. همچنین با افزایش زاویه در بلور فوتونی دی الکتریک-فلز-دی الکتریک سه لایه در حالت متقارن و نامتقارن در قطبش te و tm مد نقص به سمت طول موجهای کمتر جابجا میشود، ولی روند کاهش طول موج در قطبش tm بیشتر از قطبش te است. تمامی محاسبات با استفاده از روش ماتریس انتقال و مدل درود در فلزات انجام گرفته است.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

مطالعۀ وابستگی دمایی بلور فوتونی سه گانه دی الکتریک- بلورمایع- دی الکتریک در یک بعد با ضخامت های مختلف

در مقالۀ حاضر بلور فوتونی سه گانه یک بعدی جدیدی معرفی و وابستگی آن نسبت به دما در دو ضخامت مختلف و پهنای شکاف باند در دمای ثابت با تغییرزاویۀ تابش پرتو بررسی شده است. ترکیب دو دی الکتریک و با دو بلورمایع  و  به صورت جداگانه بلور فوتونی پیشنهادی در این مقاله هستند که نشان می دهد پهنای شکاف باند با افزایش دما افزایش می یابدو با افزایش زاویۀ تابش پرتو پهنای شکاف باند بلور فوتونی در دمای ثابت علاوه...

full text

تأثیر اتلاف روی مدهای نقص در بلور فوتونی یک بعدی

در ادامه رفتار مد نقص نسبت به دما مطالعه شده است. نتایج نشان می دهد که با افزایش دما، ارتفاع مد نقص کاهش پیدا می کند. و موقعیت آن به سمت فرکانس های بالاتر جابجا می شود. اثر اتلاف در ساختار نامتقارن برجسته تر می باشد. در واقع اندازه ی پیک مد نقص در طیف تراگسیلی، نسبت به ساختار متقارن بسیار کمتر می باشد. در صورت افزایش دما میزان کاهش ارتفاع مد نقص در بلور فوتونی دارای نقص pb1-xsnxte بسیار بیشتر ا...

خواص گاف باند و مدهای نقص بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه نقص پلاسمای مغناطیده

در علم فیزیک و فن آوری، مباحثی چون کاربرد مواد فوتونی و بلورهای نوری که امروزه در عرصه علمی و تکنولوژی از اهمیت بسزایی برخوردار است، از به روزترین مسائل می باشد. در این میان، بررسی ویژگی های بلورهای فوتونی یکی از مباحث مهم جامعه ی علمی است. بیشترین اهمیت بلورهای فوتونی به خاطر وجود باندهای ممنوعه و مدهای نقص آنها است که توانایی کنترل نور را آسانتر می کند.

بررسی مدهای عبوری در بلور فوتونی دو لایه‌ای بی‌نظم

در این مقاله، با استفاده از روش ماتریس انتقال، طیف عبوری بلور فوتونی یک بعدی ‌دولایه‌ای بی‌نظم را با نقص بررسی خواهیم کرد و دو حالت بی‌نظمی مربوط به ضخامت و طول اپتیکی را در نظر گرفته و جابه جایی طول موج مد نقص را در این دو حالت در دو قطبش TE و TM بررسی خواهیم کرد. مشاهده می‌شود که با افزایش مرتبه بی‌نظمی در هر دو حالت متقارن و نامتقارن و در دو مورد بی‌نظمی ضخامت و طول اپتیکی، مدهای نقص به سمت ...

full text

خواص اپتیکی بلور فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک ( خانم سمیه داودی۱، خانم مریم قشلاقی۲)

در این مقاله به بررسی رفتار بلور فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی­الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه­ها به صورت glass/(mgf2-ge)n/air پرداخته شده است. شبیه­سازی این بلور انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه­سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش زاویه ...

full text

خواص اپتیکی کریستال فوتونیکی دی الکتریک تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک (سمیه داودی1، مریم قشلاقی)

در این مقاله به بررسی رفتار کریستال فوتونیکی تک بعدی شبه فلز ـ دی الکتریک با ساختار اپتیکی با ترتیب لایه ها به صورت Glass/(MgF2-Ge)N/Air پرداخته شده است. شبیه سازی این کریستال انجام شد و طیف عبوری آن رسم گردید. طبق محاسبات شبیه سازی شده و رسم نمودار طیف عبوری، این ساختار دارای شکاف باند فوتونیکی پهن بوده است و همچنین طول موج مرکزی آن با اولین توقف باند آن با شرط براگ تطابق خوبی دارد. با افزایش ...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان فارس - دانشکده علوم

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023